张国飙博士，现任南方科技大学深港微电子学院研究教授、广东省三维集成工程研究中心执行主任。张博士于1995年获得美国加州大学伯克利分校物理学博士学位，师从胡正明院士，在半导体领域有20余年工作经验。张博士为三维存储和三维计算开拓者，拥有180余项专利（>120项美国授权专利和>60项中国授权专利，均为专利权人），授权美国Matrix半导体公司量产了业界第一款三维存储产品。英特尔的3D-XPoint技术和长江存储的Xtacking架构使用张博士的专利技术。张博士暨团队获得第四届中国创新创业大赛电子信息行业团队组第一名。

招聘信息

张国飙教授课题组常年招聘博士后、科研助理，招收博士生、硕士生、本科实习生，有意应聘者请将简历（格式PDF）发送至以下邮箱，以“招聘岗位_应聘者姓名”为题。

联系方式：zhanggb@sustech.edu.cn

教育经历

1990年至1995年，美国加州大学伯克利分校，物理学，博士

1986年至1990年，中国科技大学少年班，近代物理，学士

工作经历

2019年至今，南方科技大学，研究教授

2001年至2019年，美国3D-ROM公司，首席科学家

1996年至2001年，美国德州仪器公司，高级设计工程师

获得奖项

2015年，获得国内规格最高的创赛——第四届中国创新创业大赛——电子信息行业团队组第一名。

研究方向

三维集成：包括三维存储和三维计算

代表性授权专利

1． US 11,068,771，2021/7/20，Integrated Neuro-Processor Comprising Three-Dimensional Memory，Guobiao ZHANG

2．US 11,055,606，2021/7/6，Vertically Integrated Neuro-Processor，Guobiao ZHANG

3．ZL 201710130887.X ，2021/6/18，含有三维存储阵列的分布式模式处理器，张国飙

4．US 10,937,834，2021/3/2，Shared Three-Dimensional Vertical Memory，Guobiao ZHANG

5．ZL 201710241669.3，2021/1/8，含有三维存储阵列的处理器，张国飙,沈忱

6．US 10,848,158，2020/11/24，Configurable Processor，Guobiao ZHANG

7．ZL 201710461236.9，2020/11/10，兼具数据分析功能的大数据存储器，张国飙

8．ZL 201710460367.5，2020/11/10，兼具图像识别功能的存储器，张国飙

9．US 10,763,861，2020/9/1，Processor Comprising Three-Dimensional Memory (3D-M) Array, Guobiao ZHANG, Chen SHEN

10．US 10,560,475，2020/2/11，Processor for Enhancing Network Security，Guobiao ZHANG

11．10,489,590，2019/11/26，Processor for Enhancing Computer Security，Guobiao ZHANG

12．ZL 201510226777.4，2018/10/19 ，电压产生器分离的三维纵向存储器，张国飙

13．ZL 201510228946.8，2018/10/19，地址/数据转换器分离的三维纵向存储器，张国飙

14．US 9,838,021，2017/12/5，Configurable Gate Array Based on Three-Dimensional Writable Memory，Guobiao ZHANG

15．ZL 201510090124.8，2017/11/10，紧凑型三维存储器，张国飙

16．US 9,666,641，2017/5/30，Compact Three-Dimensional Memory，Guobiao ZHANG

17．ZL 201280042089.7，2016/3/30，分离的三维存储器，张国飙

18．ZL 201310091513.3，2015/9/2，小晶粒三维存储器，张国飙

19．US 9,123,393，2015/9/1，Discrete Three-Dimensional Vertical Memory，Guobiao ZHANG

20．US 7,386,652，2008/6/10，User-Configurable Pre-Recorded Memory，Guobiao ZHANG 

21．ZL 01129103.6，2008/5/14，三维只读存储器集成电路，张国飙

22．ZL 02131089.0，2006/11/15，三维集成存储器，张国飙

23．US 6,717,222，2004/4/6，Three-dimensional memory，Guobiao ZHANG

24．ZL 98119572.5，2003/1/22，三维只读存储器及其制造方法，张国飙

25．US 5,835,396，1998/11/10，Three-dimensional read-only memory，Guobiao ZHANG