汪青博士，南方科技大学深港微电子学院研究教授、研究员，博士生导师，深圳市高层次人才，IEEE EDS (Electron Devices Society) Power Devices and ICs 委员会委员，长期从事 GaN材料和器件领域研究工作，先后主持了国自然青年基金项目、广东省自然科学基金青年提升项目、广东省科技计划项目、深圳市基础研究重点项目和面上项目、中国博士后科学基金面上项目等，累计发表SCI/EI论文50余篇。授权/申请国内发明专利40余项和PCT专利5项，参与制定1项行业标准和2项团体标准。主要研究方向为GaN功率器件和射频器件，综合设计及制备适用于5G通讯、智能电网等领域的GaN基器件及系统。 

教育经历

2013年，华南理工大学，材料物理与化学，博士

2008年，西南大学，材料物理，学士

工作经历

2023/8-至今，南方科技大学，研究教授

2019/4-2023/7，南方科技大学，研究副教授

2013/7-2019/1，东莞市中镓半导体科技有限公司，历任研发中心高级工程师、事业部副经理、研发部经理和制造部主任

研究领域

GaN功率器件及电源系统

GaN射频器件及PA模块

所获荣誉

2023年，中国发明协会发明创业奖创新奖二等奖（排名第二）

2021年，深圳市高层次人才

2021年，南方科技大学工学院“优秀共产党员”

2019年，第三代半导体产业技术创新战略联盟“年度突出贡献奖”

代表性项目

2023.1-2025.12  广东省自然科学基金青年提升项目，项目主持，排名第一，经费：30 万

2022.10-2025.10  深圳市科技创新委员会基础研究面上项目，项目主持，排名第一，经费：30万

2021.8-2024.8， 深圳市基础研究重点项目，项目主持，排名第一，经费：250万。

2021.2-2021.12,  900V耐压GaN功率器件研发，横向项目，项目主持，排名第一，经费：200万。

2018.1-2020.1， 国家自然科学委员会青年科学基金，项目主持，排名第一，经费：24万，已结题。

2014.9-2016.5， 中国博士后科学基金项目，项目主持，排名第一，经费：5万，已结题。

2014.10-2017.9， 广东省公益研究与能力建设专项项目，项目负责人，排名第一，经费：200万，已结题。

2017.7-2020.12，“十三五”国家重点研发计划，项目骨干，子课题副组长，排名第二，经费：200万。

代表专利

1. 一种GaN器件及其制备方法，授权发明专利

2. 一种用于GaN生长的具有隔离保护层的复合衬底制备方法，授权发明专利

3. 一种用于GaN生长的低应力状态复合衬底的制备方法，授权发明专利

4. 一种用于GaN生长的低应力状态复合衬底，授权发明专利

5. 一种GaN基复合衬底的制备方法，授权发明专利

6.  一种提高有机电致发光器件性能的阳极修饰方法，授权发明专利

7. 片外大功率输出级最佳直流偏置的自适应校准电路，PCT专利，审中。

8. 一种应用于单工通信的可重构高精度模_数，数_模转换器，PCT专利，审中。

9. 兰姆波谐振器及其制备方法，PCT专利，审中。

10. 一种InAlN射频器件的制备方法，PCT专利，审中。

11. 无金欧姆接触电极、半导体器件和射频器件及其制法，发明专利，审中。

12. 一种p型氮化镓基器件的电极及其制备方法和用途，发明专利，审中。

13. P型氮化镓基器件、其欧姆接触系统、及其电极制备方法，发明专利，审中。

14. 一种图形化欧姆接触电极的制备方法，发明专利，审中。

15. 一种气体传感器及其制备方法，发明专利，审中。

16. 一种体声波谐振器的制备方法，发明专利，审中。

17. 一种氮化镓气体传感器的集成方法，发明专利，审中。

代表性论文

1. Yang Jiang, Wenmao Li, Fangzhou Du, Robert Sokolovskij, Yi Zhang, Shuhui Shi, Weiguo Huang, Qing Wang,* Hongyu Yu* and Zhongrui Wang*. “Comprehensive review of gallium nitride (GaN)-based gas sensors and their dynamic responses”, Journal of Materials Chemistry C, 2023, accepted.

2. Chuying Tang, Chun Fu, Yang Jiang, Minghao He, Chenkai Deng, Kangyao Wen; Jiaqi He, Peiran Wang, Fangzhou Du, Yi Zhang, Qiaoyu Hu; Nick Tao; Qing Wang* and HongYu Yu*，" Carrier transport mechanism of Mg/Pt/Au Ohmic contact on p-GaN/AlGaN/GaN platform with ultra-low resistivity". Applied Physics Letters， Vol.123, Issue 9, 092104 (2023). 

3. Jiaqi He, Kangyao Wen, Peiean Wang, Minghao He, Fangzhou Du, Yang Jiang, Chuying Tang, Nick Tao, Qing Wang*, Gang Li*, and Hongyu Yu*, Interface charge engineering on an in-situ SiNx/AlGaN/GaN platform for normally-off GaN MIS-HEMTs with improved breakdown performance, Applied Physics Letters (2023), accepted.

4. Minghao He ;  Kangyao Wen; Chenkai Deng; Mujun Li; Yifan Cui; Qing Wang* ; Hongyu Yu*; Kah-Wee Ang*; "Charge Trapping Layer Enabled Normally-Off β-Ga2O3 MOSFET," in IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 70, no. 6, pp. 3191-3195, June 2023.

5. Chenkai Deng, Wei-Chih Cheng, XiGuang Chen, KangYao Wen, MingHao He, ChuYing Tang, Peiran Wang, Qing Wang*, HongYu Yu*; Current collapse suppression in AlGaN/GaN HEMTs using dual-layer SiNx stressor passivation. Applied Physics Letters. 5 June 2023; 122 (23): 232107.

6. Yang Jiang, Dingchen Wang, Ning Lin, Shuhui Shi, Yi Zhang, Shaocong Wang, Xi Chen, Hegan Chen, Yinan Lin, Kam Chi Loong, Jia Chen, Yida Li, Renrui Fang, Dashan Shang*, Qing Wang*, Hongyu Yu* and Zhongrui Wang*. “Spontaneous Threshold Lowering Neuron using Second-Order Diffusive Memristor for Self-Adaptive Spatial Attention”, Advanced Science, 2023, 2301323.

7. Honghao Lu, Kangyao Wen, Fangzhou Du, Chuying Tang, Wei-Chih Cheng, Bowen Wei, Honglin Li, Qing Wang*, Hongyu Yu*. "Quasi-normally off AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors with p-type CuOx gate synthesized through magnetron reactive sputtering", Materials Science in Semiconductor Processing, 154(2023): 107221

8. Chu-Ying Tang, Hong-Hao Lu, Ze-Peng Qiao, Yang Jiang, Fang-Zhou Du, Jia-Qi He, Yu-Long Jiang*, Qing Wang*, and Hong-Yu Yu*, Ohmic Contact with a Contact Resistivity of 12 Ω·mm on p-GaN/AlGaN/GaN, IEEE Electron Device Letters, 2022, 43(9): 1412–1415.

9. Yang Jiang, FangZhou Du, JiaQi He, ZePeng Qiao, ChuYing Tang, XinYi Tang, ZhongRui Wang, Qing Wang*, HongYu Yu*，"Microscopic formation mechanism of Si/Tl5Al1/TiN ohmic contact on non-recessed i-InAlN/GaN heterostructures with ultra-low resistance". Applied Physics Letters. 121, 212105 (2022)

10. Wei-Chih Cheng, Jiaqi He, Minghao He, Zepeng Qiao, Yang Jiang, Fangzhou Du, Xiang Wang, Haimin Hong, Qing Wang*, and Hongyu Yu*.” Low trap density of oxygen-rich HfO2/GaN interface for GaN MIS-HEMT applications”. Journal of Vacuum Science and Technology B, 2022, 40(2)

11. Fangzhou Du, Yang Jiang, Zepeng Qiao, Zhanxia Wu, Chuying Tang, Jiaqi He, Guangnan Zhou, Wei-Chih Cheng, Xinyi Tang, Qing Wang*, and Hongyu Yu*. “Atomic layer etching technique for InAlN/GaN heterostructure with AlN etch-stop layer.” Materials Science in Semiconductor Processing: 143, 2022.

12. Yi Zhang , Yi Deng , Yinan Lin , Yang Jiang , Yujiao Dong , Xi Chen , Guangyi Wang ,Dashan Shang , Qing Wang *, Hongyu Yu * and Zhongrui Wang *, “Oscillator-Network-Based Ising Machine”, Micromachines (Basel). 2022 Jun 27;13(7):1016. 2022, 13(7).

13. Jiaqi He; Wei-Chih Cheng; Yang Jiang; Mengya Fan; Guangnan Zhou; Gaiying Yang; Lingli Jiang; Xiang Wang; Zhanxia Wu; Qing Wang*; Hongyu Yu*. Distinguishing various influences on the electrical properties of thin-barrier AlGaN/GaN heterojunctions with in-situ SiNx caps[J]. Materials Science in Semiconductor Processing, 2021, 132(6798):105907.

14. Wei-Chih Cheng; Fanming Zeng; Minghao He; Qing Wang*; Mansun Chan; Hongyu Yu*. (2020). Quasi-Normally-Off AlGaN/GaN HEMTs with SiNx Stress Liner and Comb Gate for Power Electronics Applications. IEEE Journal Of The Electron Devices Society,8, 1138-1144.

代表著作

1. 英文著作: Wang Qing, Yu Gang, Wang Jian, Organic Light-Emitting Materials and Devices (第一章), CRC Press, ISBN-13: 978-1-4398-8223-8, 2015.