原位扫描X射线光电子能谱微探针仪
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1379/次总次数
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11782/小时总时长
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165/人收藏者
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收费标准
机时400元/小时送样详见检测项目 -
设备型号
PHI 5000 VersaProbe III -
当前状态
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管理员
汤敏 -
放置地点
校本部慧园6栋一层110
- 仪器信息
- 预约资源
- 检测项目
- 附件下载
- 公告
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名称
原位扫描X射线光电子能谱微探针仪
资产编号
S2101213
型号
PHI 5000 VersaProbe III
规格
产地
日本
厂家
ULVAC PHI
所属品牌
ULVAC PHI
出产日期
购买日期
所属单位
化学系
使用性质
科研
所属分类
资产负责人
汤敏
联系电话
联系邮箱
tangm@sustech.edu.cn
放置地点
校本部慧园6栋一层110
- 主要规格&技术指标
- 主要功能及特色
- 样本检测注意事项
- 备注
主要规格&技术指标
※ 请加“QQ群138628402”，群内发送通知和分享相关资料。
※ 本仪器对全校和校外开放，可培训自测和送样，详细规则和收费标准请进群查看群公告和咨询。
1，XPS，X射线 Al Kα射线源，束斑直径10μm至200μm连续可调，最大测试面积可到100 μm × 1400 μm，XPS极限能量分辨率小于0.50 eV。
2，UPS紫外光源：He I 灵敏度 Ag 4d @ 1.7 Mcps，能量分辨率小于110 meV。
3，氩离子枪刻蚀，4 kV 2×2 mm刻蚀速率10.44 nm/min，适合无机物。
4，双束（离子束和电子束）中和系统。
5，气体团簇离子束刻蚀GCIB，适合有机物。
※ 本仪器对全校和校外开放，可培训自测和送样，详细规则和收费标准请进群查看群公告和咨询。
1，XPS，X射线 Al Kα射线源，束斑直径10μm至200μm连续可调，最大测试面积可到100 μm × 1400 μm，XPS极限能量分辨率小于0.50 eV。
2，UPS紫外光源：He I 灵敏度 Ag 4d @ 1.7 Mcps，能量分辨率小于110 meV。
3，氩离子枪刻蚀，4 kV 2×2 mm刻蚀速率10.44 nm/min，适合无机物。
4，双束（离子束和电子束）中和系统。
5，气体团簇离子束刻蚀GCIB，适合有机物。
主要功能及特色
XPS（X射线光电子能谱），UPS（紫外光电子能谱），AES（俄歇电子能谱），SEM（扫描电子显微镜，分辨率100 nm），LEIPS（低能逆光发射光谱），REELS（反射式电子能量损失谱），刻蚀，深度剖析，角分辨深度分析，原位高低温测试（-130-500℃），真空转移。
样本检测注意事项
1，放射性样品；磁性样品；毒性样品；与水氧空气发生反应的样品；超高真空和X光照射下发生分解的样品；挥发性样品及在真空释放大量气体的样品。
2，XPS和AES样品：粉末，薄膜，块体皆可。
3，UPS，LEIPS和REELS：导体或导电性较好的薄膜材料，电阻小于100 Ω。
2，XPS和AES样品：粉末，薄膜，块体皆可。
3，UPS，LEIPS和REELS：导体或导电性较好的薄膜材料，电阻小于100 Ω。
备注
※ 请加“QQ群138628402”，群内发送通知和分享相关资料。
※ 本仪器对全校和校外开放，可培训自测和送样，详细规则和收费标准请进群查看群公告和咨询。
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预约资源
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