于洪宇教授在集成电路工艺与器件方面，包括CMOS、新型超高密度存储器、GaN器件与系统集成（GaN HEMT），取得的一系列创新性工作。发表学术论文370篇以上（包括期刊与会议），其中近160篇被SCI收录，总他引次数超过了4700 次，H 影响因子为37。受邀撰写了4 本专业书籍的章节，并编辑2本书籍，Hafnium: Chemical Characteristics, Production and Application和Gallium Nitride Power Devices。发表/被授予近20 项美国/欧洲专利以及十多项国内专利。作为编委会委员，参与王阳元《集成电路工业全书》的编写。作为项目负责人，承担超过 5000 万人民币的科研项目。在南科大建成了一个1200平米的洁净间，形成一个完整的6英寸CMOS工艺实验室，其硬件水平将在华南地区达到领先水平。筹建南科大深港微电子学院，代表南科大与第三代半导体产业技术创新战略联盟共同筹建深圳第三代半导体研究院，与清华大学共同牵头筹建未来网络高端器件制造业创新中心。牵头组建深圳市第三代半导体重点实验室、广东省GaN器件工程技术中心，并成立团队。